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刻蚀或离子注入完成后，将进行光刻的后一步，制版厂家，即将光刻胶去除，以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常，半导体器件制造整个过程中，会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻，而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。
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光致抗蚀剂也被称为光致抗蚀剂。掩模板上的图案被转移到晶片表面顶层的光致抗蚀剂上，并且在后续工艺中保护下面的材料(蚀刻或离子注入)。光致抗蚀剂由光敏树脂、光引发剂、添加剂、溶剂等组成。其中，光敏树脂是光刻胶的关键成分。
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实体结构：布满集成电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片上的图像。倍缩光掩模（reticle）：当铬膜玻璃仅能局部覆盖晶圆称为倍缩光掩模，通常图型要放大4倍、5倍或10倍。光掩模（mask）：当铬膜玻璃上的图像能覆盖整个晶圆时称之为光罩。
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