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实体结构:布满集成电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片上的图像。倍缩光掩模(reticle):当铬膜玻璃仅能局部覆盖晶圆称为倍缩光掩模,通常图型要放大4倍、5倍或10倍。光掩模(mask):当铬膜玻璃上的图像能覆盖整个晶圆时称之为光罩。
光掩膜是刻有微电路的版,由表面纯平并带有一层铬的石英板或玻璃板制作而成,蚀刻后的残留铬部分即为设计的微电图。这种制版方式在掩膜行业称为光透。
半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻袭工艺,制版价格,在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套(几块zhidao多至十几块)相互间能套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。
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接触光刻技术中使用的掩模的表面特征图案的尺寸与实际掩模的尺寸相同。i在衬底上形成的图案是1∶1,并且以直接接近光致抗蚀剂层表面的方式---i光线;另一方面,缩微技术中使用的掩模具有表面特征图案的实际尺寸。i在衬底上形成的图案的几次通过光学系统投影模式---i光明。
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