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光致抗蚀剂也被称为光致抗蚀剂。掩模板上的图案被转移到晶片表面顶层的光致抗蚀剂上，并且在后续工艺中保护下面的材料(蚀刻或离子注入)。光致抗蚀剂由光敏树脂、光引发剂、添加剂、溶剂等组成。其中，光敏树脂是光刻胶的关键成分。
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光刻（英语：photolithography）是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用---和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、sos中的蓝宝石。
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随着冲版量的不断增加和空气中的co2不断溶入，显影液中的oh-浓度会下降，ph值将越来越低，显影时间应慢慢变长，至后在正常---条件下ps版无法显影，这就是显影液疲劳的现象。但随着显影液ph值的降低，碱液对氧化层和涂层树脂的腐蚀力下降，版材的网点再现性及耐印力比用新配制的显影液好一些。但必须注意两点，一是冲版量必须控制在显影液容许范围内；
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